BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.036 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Full Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Leistung - max | 80W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 400µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Leistung - max 85W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 600µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 0.6nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.35nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E2 Lieferantengerätepaket E2 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Leistung - max 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 280A Leistung - max 890W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
