BSH121,135
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| Teilenummer | BSH121,135 |
| PNEDA Teilenummer | BSH121-135 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSH121 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSH121,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BSH121 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.9A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 895pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 70W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6810pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOWATT-218FX Paket / Fall ISOWATT218FX |
