BSD316SNL6327XT
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| Teilenummer | BSD316SNL6327XT |
| PNEDA Teilenummer | BSD316SNL6327XT |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.714 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSD316SNL6327XT Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSD316SNL6327XT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSD316SNL6327XT Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 94pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UMT3 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 39W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 31.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 2.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 8.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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