BSD235CH6327XTSA1
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| Teilenummer | BSD235CH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSD235CH6327XTSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 575.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSD235CH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSD235CH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSD235CH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 950mA, 530mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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