Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSC889N03LSGATMA1
PNEDA Teilenummer BSC889N03LSGATMA1
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.802
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSC889N03LSGATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSC889N03LSGATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
BSC889N03LSGATMA1, BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 669,9 KB)
PDFBSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Cover
BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 2 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 3 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 4 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 5 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 6 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 7 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 8 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 9 BSC889N03LSGATMA1 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSC889N03LSGATMA1 Datasheet
  • where to find BSC889N03LSGATMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSC889N03LSGATMA1
  • BSC889N03LSGATMA1 PDF Datasheet
  • BSC889N03LSGATMA1 Stock

  • BSC889N03LSGATMA1 Pinout
  • Datasheet BSC889N03LSGATMA1
  • BSC889N03LSGATMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSC889N03LSGATMA1 Price
  • BSC889N03LSGATMA1 Distributor

BSC889N03LSGATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TDSON-8-1
Paket / Fall8-PowerTDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CEDM7001 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.57nC @ 4.5V

Vgs (Max)

10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 3V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-883

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

AON7536

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Ta), 68A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.1W (Ta), 32.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

MTM231100L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IPU60R1K4C6AKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

28.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ZXM41N10FTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

TAJC107M016RNJ

TAJC107M016RNJ

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312

NJM2670E3

NJM2670E3

NJR Corporation/NJRC

IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 24EMP

FDS6680AS

FDS6680AS

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

LTM4644EY#PBF

LTM4644EY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 4X0.6-5.5V

MBR140SFT1

MBR140SFT1

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

LSM9DS1TR

LSM9DS1TR

STMicroelectronics

IMU ACCEL/GYRO/MAG I2C/SPI 24LGA

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

D45VH10G

D45VH10G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 15A TO220AB

TEPT4400

TEPT4400

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 570NM TOP VIEW RAD

MCP4921T-E/SN

MCP4921T-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC