BSC883N03MSGATMA1
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| Teilenummer | BSC883N03MSGATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC883N03MSGATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.002 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC883N03MSGATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC883N03MSGATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
BSC883N03MSGATMA1, BSC883N03MSGATMA1 Datenblatt
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BSC883N03MSGATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 34V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Ta), 98A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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