BSC220N20NSFDATMA1
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Teilenummer | BSC220N20NSFDATMA1 |
PNEDA Teilenummer | BSC220N20NSFDATMA1 |
Beschreibung | TRENCH >=100V |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.822 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC220N20NSFDATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSC220N20NSFDATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
BSC220N20NSFDATMA1, BSC220N20NSFDATMA1 Datenblatt
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BSC220N20NSFDATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 52A |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 52A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 137µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TSON-8-3 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 230W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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