BSC0923NDIATMA1
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| Teilenummer | BSC0923NDIATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC0923NDIATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC0923NDIATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC0923NDIATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSC0923NDIATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A, 32A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA, 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket PS-8 (2.9x2.4) |
