BSC046N02KSGAUMA1
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| Teilenummer | BSC046N02KSGAUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSC046N02KSGAUMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSC046N02KSGAUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSC046N02KSGAUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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BSC046N02KSGAUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 36.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8930pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 893W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket 264 MAX™ [L2] Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FM Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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