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BS2100F-E2

BS2100F-E2

Nur als Referenz

Teilenummer BS2100F-E2
PNEDA Teilenummer BS2100F-E2
Beschreibung IC DVR IGBT/MOSFET
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BS2100F-E2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBS2100F-E2
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
BS2100F-E2, BS2100F-E2 Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 84,47 KB)
PDFBR24T1MF-3AME2 Datenblatt Cover

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BS2100F-E2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)60mA, 130mA
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)200ns, 100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

2.4V, 9.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (3x3)

MAX8552ETB+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 6.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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FAN73832MX_WS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

15V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MCP1403-E/P

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 4.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 16.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

170mA, 270mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-Mini DIP

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