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BR93H56RFJ-WCE2

BR93H56RFJ-WCE2

Nur als Referenz

Teilenummer BR93H56RFJ-WCE2
PNEDA Teilenummer BR93H56RFJ-WCE2
Beschreibung EEPROMS MICROWIRE SERIAL BUS, HI
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 18.708
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BR93H56RFJ-WCE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR93H56RFJ-WCE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR93H56RFJ-WCE2, BR93H56RFJ-WCE2 Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 938,17 KB)
PDFBR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Cover
BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 2 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 3 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 4 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 5 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 6 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 7 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 8 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 9 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 10 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 11

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BR93H56RFJ-WCE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (128 x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz1.25MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP-J

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speicherschnittstelle

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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