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BR93H56RF-WCE2

BR93H56RF-WCE2

Nur als Referenz

Teilenummer BR93H56RF-WCE2
PNEDA Teilenummer BR93H56RF-WCE2
Beschreibung EEPROMS MICROWIRE SERIAL BUS, HI
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BR93H56RF-WCE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR93H56RF-WCE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR93H56RF-WCE2, BR93H56RF-WCE2 Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 938,17 KB)
PDFBR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Cover
BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 2 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 3 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 4 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 5 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 6 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 7 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 8 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 9 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 10 BR93H86RFJ-WCE2 Datenblatt Seite 11

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BR93H56RF-WCE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (128 x 16)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz1.25MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1.125Mb (64K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Fremont Micro Devices Ltd

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (4K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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84-PLCC (29.21x29.21)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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32-SOJ

JS28F064M29EWBA

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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