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BR25H160F-2CE2

BR25H160F-2CE2

Nur als Referenz

Teilenummer BR25H160F-2CE2
PNEDA Teilenummer BR25H160F-2CE2
Beschreibung IC EEPROM 16K SPI 10MHZ 8SOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 4.122
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BR25H160F-2CE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR25H160F-2CE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR25H160F-2CE2, BR25H160F-2CE2 Datenblatt (Total Pages: 35, Größe: 1.127,13 KB)
PDFBR25H160FJ-2CE2 Datenblatt Cover
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BR25H160F-2CE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz10MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

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Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

500MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

S29GL256P11WEI019

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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