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BR25020-10TU-2.7

BR25020-10TU-2.7

Nur als Referenz

Teilenummer BR25020-10TU-2.7
PNEDA Teilenummer BR25020-10TU-2-7
Beschreibung IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 7.848
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BR25020-10TU-2.7 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR25020-10TU-2.7
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR25020-10TU-2.7, BR25020-10TU-2.7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 341,32 KB)
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BR25020-10TU-2.7 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz3MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

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Serie

*

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-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

17ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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