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BR24G01FVJ-3GTE2

BR24G01FVJ-3GTE2

Nur als Referenz

Teilenummer BR24G01FVJ-3GTE2
PNEDA Teilenummer BR24G01FVJ-3GTE2
Beschreibung IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8TSSOP
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BR24G01FVJ-3GTE2 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBR24G01FVJ-3GTE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
BR24G01FVJ-3GTE2, BR24G01FVJ-3GTE2 Datenblatt (Total Pages: 36, Größe: 587,19 KB)
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BR24G01FVJ-3GTE2 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Kb (128 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.6V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP-BJ

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Taktfrequenz

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200ns

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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