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BLP8G10S-45PJ

BLP8G10S-45PJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLP8G10S-45PJ
PNEDA Teilenummer BLP8G10S-45PJ
Beschreibung TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLP8G10S-45PJ Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLP8G10S-45PJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLP8G10S-45PJ, BLP8G10S-45PJ Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.560,63 KB)
PDFBLP8G10S-45PJ Datenblatt Cover
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BLP8G10S-45PJ Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz952.5MHz ~ 957.5MHz
Gewinn20.8dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest224mA
Leistung - Leistung2.5W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1223-1
Lieferantengerätepaket4-HSOPF

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

TO-270BB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4 Gull

PTFA070601EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

760MHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

BLF8G22LS-140J

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.74A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

CGHV27100F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

440162

Lieferantengerätepaket

440162

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