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BLP7G22-10Z

BLP7G22-10Z

Nur als Referenz

Teilenummer BLP7G22-10Z
PNEDA Teilenummer BLP7G22-10Z
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLP7G22-10Z Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLP7G22-10Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLP7G22-10Z, BLP7G22-10Z Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.181,18 KB)
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BLP7G22-10Z Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.14GHz
Gewinn16dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest110mA
Leistung - Leistung2W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall12-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-HVSON (6x4)

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Gewinn

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Spannungstest

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Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-1483-1

Lieferantengerätepaket

SOT1483-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

14.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780GS

Lieferantengerätepaket

NI-780GS

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.995GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

148W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-2S2L

Lieferantengerätepaket

NI-780-2S2L

PTVA120251EA-V2-R250

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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