BLP27M810Z
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| Teilenummer | BLP27M810Z |
| PNEDA Teilenummer | BLP27M810Z |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.392 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLP27M810Z Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLP27M810Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BLP27M810Z Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual), Common Source |
| Frequenz | 2.14GHz |
| Gewinn | 17dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 110mA |
| Leistung - Leistung | 2W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | 16-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-HVSON (6x4) |
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source Frequenz 917.5MHz ~ 962.5MHz Gewinn 22dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) 64A Rauschzahl - Stromtest 1.8A Leistung - Leistung 40W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT539A Lieferantengerätepaket SOT539A |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 220MHz Gewinn 25dB Spannungstest 50V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 450mA Leistung - Leistung 150W Spannung - Nennspannung 110V Paket / Fall TO-272BB Lieferantengerätepaket TO-272 WB-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.93GHz Gewinn 16.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.1A Leistung - Leistung 125W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-957A Lieferantengerätepaket NI-780H-2L |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual) Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz Gewinn 16.7dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) 10µA Rauschzahl - Stromtest 600mA Leistung - Leistung 192W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall ACP-1230S-4L2S Lieferantengerätepaket ACP-1230S-4L2S |
