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BLM8G0710S-45ABY

BLM8G0710S-45ABY

Nur als Referenz

Teilenummer BLM8G0710S-45ABY
PNEDA Teilenummer BLM8G0710S-45ABY
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
Hersteller Ampleon
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BLM8G0710S-45ABY Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLM8G0710S-45ABY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLM8G0710S-45ABY Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz957.5MHz
Gewinn35dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest30mA
Leistung - Leistung3W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1211-2
Lieferantengerätepaket16-HSOPF

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

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Gewinn

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Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-1120B

Lieferantengerätepaket

CDFM6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

TO-270AA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.8MHz ~ 400MHz

Gewinn

26.4dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

179V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

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