BLM7G1822S-80ABGY
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| Teilenummer | BLM7G1822S-80ABGY |
| PNEDA Teilenummer | BLM7G1822S-80ABGY |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BLM7G1822S-80ABGY Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLM7G1822S-80ABGY |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
BLM7G1822S-80ABGY, BLM7G1822S-80ABGY Datenblatt
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BLM7G1822S-80ABGY Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual) |
| Frequenz | 2.17GHz |
| Gewinn | 31dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 40mA |
| Leistung - Leistung | 4W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-1212-2 |
| Lieferantengerätepaket | 16-HSOP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp N-Channel Dual Gate Frequenz 800MHz Gewinn - Spannungstest 5V Nennstrom (Ampere) 40mA Rauschzahl 2dB Stromtest 15mA Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung 7V Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 1.99GHz Gewinn 14.5dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 950mA Leistung - Leistung 22W Spannung - Nennspannung 68V Paket / Fall TO-270AB Lieferantengerätepaket TO-270 WB-4 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 2GHz Gewinn 17dB Spannungstest 4.5V Nennstrom (Ampere) 500mA Rauschzahl 1.5dB Stromtest 200mA Leistung - Leistung 26.5dBm Spannung - Nennspannung 7V Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-LPCC (2x2) |
