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BLL8H1214L-500U

BLL8H1214L-500U

Nur als Referenz

Teilenummer BLL8H1214L-500U
PNEDA Teilenummer BLL8H1214L-500U
Beschreibung RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $3.960,1146
50 ---------- $3.774,4842
100 ---------- $3.588,8538
200 ---------- $3.403,2235
400 ---------- $3.248,5315
500 ---------- $3.093,8395
Auf Lager 7.572
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLL8H1214L-500U Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLL8H1214L-500U
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLL8H1214L-500U, BLL8H1214L-500U Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.386,73 KB)
PDFBLL8H1214LS-500U Datenblatt Cover
BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 2 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 3 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 4 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 5 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 6 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 7 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 8 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 9 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 10 BLL8H1214LS-500U Datenblatt Seite 11

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BLL8H1214L-500U Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.2GHz ~ 1.4GHz
Gewinn17dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung500W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallSOT539A
LieferantengerätepaketSOT539A

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

2SK3079ATE12LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

470MHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

33.5dBmW

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

TO-271AA

Lieferantengerätepaket

PW-X

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

720MHz ~ 960MHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

53dBm

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

OM-780-4L

Lieferantengerätepaket

OM-780-4L

MRFG35010

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

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