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BLF8G27LS-150GVJ

BLF8G27LS-150GVJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G27LS-150GVJ
PNEDA Teilenummer BLF8G27LS-150GVJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
Hersteller Ampleon
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BLF8G27LS-150GVJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G27LS-150GVJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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BLF8G27LS-150GVJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.6GHz ~ 2.7GHz
Gewinn18dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung45W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1244C
LieferantengerätepaketCDFM6

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LDMOS

Frequenz

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Gewinn

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

800MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.55A

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30275-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

15.7dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

PTFA070601EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

760MHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

H-36265-2

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