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BLF8G22LS-205VU

BLF8G22LS-205VU

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G22LS-205VU
PNEDA Teilenummer BLF8G22LS-205VU
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
Hersteller Ampleon
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BLF8G22LS-205VU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G22LS-205VU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G22LS-205VU, BLF8G22LS-205VU Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.108,66 KB)
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BLF8G22LS-205VU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung50.1W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1239B
LieferantengerätepaketSOT1239B

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

880MHz

Gewinn

18.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

47W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

BLF645,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

32A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-540A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

BF5020WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

25mA

Rauschzahl

1.2dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

ATF-55143-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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