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BLF8G22LS-205VJ

BLF8G22LS-205VJ

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G22LS-205VJ
PNEDA Teilenummer BLF8G22LS-205VJ
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
Hersteller Ampleon
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BLF8G22LS-205VJ Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G22LS-205VJ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G22LS-205VJ, BLF8G22LS-205VJ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.108,66 KB)
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BLF8G22LS-205VJ Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung50.1W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1239B
LieferantengerätepaketCDFM6

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

130MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

BLF1043,135

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

2.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

85mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-538A

Lieferantengerätepaket

2-CSMD

PTFA211801E V4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

14.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

CRF24010PE

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

Silicon Carbide MESFET

Frequenz

1.95GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

1.8A

Rauschzahl

3.1dB

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

440196

Lieferantengerätepaket

440196

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CAP TANT 330UF 10% 10V 2917