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BLF8G22LS-200V,112

BLF8G22LS-200V,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G22LS-200V,112
PNEDA Teilenummer BLF8G22LS-200V-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
Hersteller Ampleon
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BLF8G22LS-200V Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G22LS-200V,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G22LS-200V, BLF8G22LS-200V Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.173,45 KB)
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BLF8G22LS-200V Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest2A
Leistung - Leistung55W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1244B
LieferantengerätepaketCDFM6

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

ATF-531P8-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

MWT-173

Microwave Technology Inc.

Hersteller

Microwave Technology Inc.

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

100MHz ~ 12GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

240mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

240mA

Leistung - Leistung

300mW

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

Nonstandard SMD

Lieferantengerätepaket

73

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400-240

Lieferantengerätepaket

NI-400-240

PTFA191001EV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

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