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BLF8G19LS-170BVU

BLF8G19LS-170BVU

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G19LS-170BVU
PNEDA Teilenummer BLF8G19LS-170BVU
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
Hersteller Ampleon
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BLF8G19LS-170BVU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G19LS-170BVU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G19LS-170BVU, BLF8G19LS-170BVU Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.003,67 KB)
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BLF8G19LS-170BVU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.94GHz ~ 1.99GHz
Gewinn18dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung60W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1120B
LieferantengerätepaketLDMOST

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4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

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25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

17.8dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880XS

Lieferantengerätepaket

NI-880XS

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

18.6dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

110mA

Leistung - Leistung

12.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-DFN (4x6)

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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