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BLF8G19LS-170BVU

BLF8G19LS-170BVU

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G19LS-170BVU
PNEDA Teilenummer BLF8G19LS-170BVU
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
Hersteller Ampleon
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BLF8G19LS-170BVU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G19LS-170BVU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G19LS-170BVU, BLF8G19LS-170BVU Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.003,67 KB)
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BLF8G19LS-170BVU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.94GHz ~ 1.99GHz
Gewinn18dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung60W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1120B
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

940MHz

Gewinn

32.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

TO-270-16 Variant, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TO-270 WBL-16

PXAC261212FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.69GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

2N5485_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

10mA

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

770W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI780-4

Lieferantengerätepaket

NI-780-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

1W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

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