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BLF8G10LS-160,112

BLF8G10LS-160,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF8G10LS-160,112
PNEDA Teilenummer BLF8G10LS-160-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Hersteller Ampleon
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BLF8G10LS-160 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF8G10LS-160,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF8G10LS-160, BLF8G10LS-160 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.599,96 KB)
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BLF8G10LS-160 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz920MHz ~ 960MHz
Gewinn19.7dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.1A
Leistung - Leistung35W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

23.9dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1214B

Lieferantengerätepaket

LDMOST

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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