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BLF7G27LS-75P,118

BLF7G27LS-75P,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G27LS-75P,118
PNEDA Teilenummer BLF7G27LS-75P-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
Hersteller Ampleon
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BLF7G27LS-75P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G27LS-75P,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G27LS-75P, BLF7G27LS-75P Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 994,43 KB)
PDFBLF7G27LS-75P Datenblatt Cover
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BLF7G27LS-75P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinn17dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest650mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121B
LieferantengerätepaketLDMOST

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

6A

Rauschzahl

2dB

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-123A

Lieferantengerätepaket

CRFM4

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz ~ 1.215GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

700W

Spannung - Nennspannung

106V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

SOT502A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

PTFA210601F V4 R250

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37265-2

PD20015-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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