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BLF7G27L-75P,112

BLF7G27L-75P,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G27L-75P,112
PNEDA Teilenummer BLF7G27L-75P-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
Hersteller Ampleon
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BLF7G27L-75P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G27L-75P,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G27L-75P, BLF7G27L-75P Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 994,43 KB)
PDFBLF7G27LS-75P Datenblatt Cover
BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 2 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 3 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 4 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 5 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 6 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 7 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 8 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 9 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 10 BLF7G27LS-75P Datenblatt Seite 11

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BLF7G27L-75P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinn17dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest650mA
Leistung - Leistung12W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

700MHz ~ 1.3GHz

Gewinn

20.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

650W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

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Gewinn

20.6dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

650W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

SOT-979A

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NI-1230-4H

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270AB

Lieferantengerätepaket

TO-270 WB-4

PD55025TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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