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BLF7G22L-130,112

BLF7G22L-130,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G22L-130,112
PNEDA Teilenummer BLF7G22L-130-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
Hersteller Ampleon
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BLF7G22L-130 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G22L-130,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G22L-130, BLF7G22L-130 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.164,96 KB)
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BLF7G22L-130 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)28A
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung30W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

65MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

-

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150W

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Hersteller

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-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

16.3dB

Spannungstest

7.5V

Nennstrom (Ampere)

8A

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

2W

Spannung - Nennspannung

40V

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

39W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

PTFC210202FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.2GHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

170mA

Leistung - Leistung

5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

ARF461CG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

65MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

25µA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

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