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BLF7G20LS-90P,112

BLF7G20LS-90P,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF7G20LS-90P,112
PNEDA Teilenummer BLF7G20LS-90P-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 4.950
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BLF7G20LS-90P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF7G20LS-90P,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF7G20LS-90P, BLF7G20LS-90P Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.116,71 KB)
PDFBLF7G20L-90P Datenblatt Cover
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BLF7G20LS-90P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz1.81GHz ~ 1.88GHz
Gewinn19.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest550mA
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121B
LieferantengerätepaketLDMOST

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

330W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

2N5950

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PTFB093608FV-V3-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

960MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.8A

Leistung - Leistung

315W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-34275G-6/2

Lieferantengerätepaket

H-34275G-6/2

PD55035S-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

16.9dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

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