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BLF6G27LS-75,118

BLF6G27LS-75,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G27LS-75,118
PNEDA Teilenummer BLF6G27LS-75-118
Beschreibung RF FET LDMOS 65V SOT502B
Hersteller Ampleon
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLF6G27LS-75 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G27LS-75,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G27LS-75, BLF6G27LS-75 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 276,13 KB)
PDFBLF6G27LS-75 Datenblatt Cover
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BLF6G27LS-75 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)18A
Rauschzahl-
Stromtest600mA
Leistung - Leistung9W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

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Gewinn

26dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

1200W

Spannung - Nennspannung

200V

Paket / Fall

STAC244F

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STAC244F

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

-

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-270-2

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