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BLF6G27-100,112

BLF6G27-100,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G27-100,112
PNEDA Teilenummer BLF6G27-100-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V SOT502A
Hersteller Ampleon
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Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BLF6G27-100 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G27-100,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G27-100, BLF6G27-100 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 299,22 KB)
PDFBLF6G27LS-100 Datenblatt Cover
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BLF6G27-100 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)29A
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung14W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502A
LieferantengerätepaketLDMOST

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

SOT502A

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.1GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

28.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

105mA

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OMP-780-16G-1

Lieferantengerätepaket

OMP-780-16G-1

VRF151G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

2 N-Channel (Dual) Common Source

Frequenz

175MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

36A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

170V

Paket / Fall

4-SMD

Lieferantengerätepaket

M208

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

MESFET

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

10V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

40dBm

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

SOT-445 Variant

Lieferantengerätepaket

3M

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

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