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BLF6G22LS-40P,112

BLF6G22LS-40P,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G22LS-40P,112
PNEDA Teilenummer BLF6G22LS-40P-112
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
Hersteller Ampleon
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BLF6G22LS-40P Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G22LS-40P,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G22LS-40P, BLF6G22LS-40P Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.747,48 KB)
PDFBLF6G22L-40P Datenblatt Cover
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BLF6G22LS-40P Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.11GHz ~ 2.17GHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)16A
Rauschzahl-
Stromtest410mA
Leistung - Leistung13.5W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-1121B
LieferantengerätepaketLDMOST

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10mA

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-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-880

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13.7dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-Micro-X

Lieferantengerätepaket

4-Micro-X

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.62GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

7W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

125mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

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CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411