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BLF6G10LS-200,118

BLF6G10LS-200,118

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10LS-200,118
PNEDA Teilenummer BLF6G10LS-200-118
Beschreibung FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.790
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BLF6G10LS-200 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10LS-200,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF6G10LS-200, BLF6G10LS-200 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 99,49 KB)
PDFBLF6G10LS-200 Datenblatt Cover
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BLF6G10LS-200 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz871.5MHz
Gewinn20.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)49A
Rauschzahl-
Stromtest1.4A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

17.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

CGH35030F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.9GHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

120mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

230MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1250W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

SD2942W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M244

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