BLF6G10LS-135R,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLF6G10LS-135R,112 |
| PNEDA Teilenummer | BLF6G10LS-135R-112 |
| Beschreibung | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
| Hersteller | Ampleon |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLF6G10LS-135R Ressourcen
| Marke | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLF6G10LS-135R,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
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BLF6G10LS-135R Technische Daten
| Hersteller | Ampleon USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| Gewinn | 21dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | 32A |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 950mA |
| Leistung - Leistung | 26.5W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | SOT-502B |
| Lieferantengerätepaket | SOT502B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.11GHz Gewinn 16.7dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.5A Leistung - Leistung 50W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S-6 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 2.5GHz ~ 2.7GHz Gewinn 16dB Spannungstest 32V Nennstrom (Ampere) 34A Rauschzahl - Stromtest 1.2A Leistung - Leistung 20W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT-502B Lieferantengerätepaket SOT502B |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 920MHz Gewinn 19.3dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 500mA Leistung - Leistung 72W Spannung - Nennspannung 70V Paket / Fall NI-780S Lieferantengerätepaket NI-780S |
