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BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10L-260PRN,11

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10L-260PRN,11
PNEDA Teilenummer BLF6G10L-260PRN-11_E3
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 2.178
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BLF6G10L-260PRN Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10L-260PRN,11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BLF6G10L-260PRN Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz917.5MHz ~ 962.5MHz
Gewinn22dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)64A
Rauschzahl-
Stromtest1.8A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT539A
LieferantengerätepaketSOT539A

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Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

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24A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

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1800W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DE475

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.995GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

172W

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT1271-2

SD2943W

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

350W

Spannung - Nennspannung

130V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M177

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-

Transistortyp

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Frequenz

150MHz ~ 400MHz

Gewinn

7.7dB ~ 16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

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211-07

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Transistortyp

Silicon Carbide MESFET

Frequenz

1.95GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

1.8A

Rauschzahl

3.1dB

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

120V

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