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BLF4G10LS-160,112

BLF4G10LS-160,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF4G10LS-160,112
PNEDA Teilenummer BLF4G10LS-160-112
Beschreibung FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B
Hersteller NXP
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BLF4G10LS-160 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF4G10LS-160,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF4G10LS-160, BLF4G10LS-160 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 124,86 KB)
PDFBLF4G10LS-160 Datenblatt Cover
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BLF4G10LS-160 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz894.2MHz
Gewinn19.7dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)15A
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung160W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-502B
LieferantengerätepaketSOT502B

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Gewinn

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Spannungstest

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Rauschzahl

3dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

17.8dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

MAGX-001214-500L0S

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

19.22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

18.1A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.2dB

Stromtest

12mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

10V

Paket / Fall

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