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BLF177,112

BLF177,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLF177,112
PNEDA Teilenummer BLF177-112
Beschreibung RF FET NCHA 125V 19DB SOT121B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.318
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BLF177 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF177,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BLF177 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz108MHz
Gewinn19dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)16A
Rauschzahl-
Stromtest700mA
Leistung - Leistung150W
Spannung - Nennspannung125V
Paket / FallSOT-121B
LieferantengerätepaketCRFM4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

870MHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT-1223-2

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.88GHz ~ 1.91GHz

Gewinn

17.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

24W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780G-4L

Lieferantengerätepaket

OM-780G-4L

SD3931-10

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

150MHz

Gewinn

21.3dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

10A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

175W

Spannung - Nennspannung

250V

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.3GHz

Gewinn

22.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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