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BLF0910H9LS750PU

BLF0910H9LS750PU

Nur als Referenz

Teilenummer BLF0910H9LS750PU
PNEDA Teilenummer BLF0910H9LS750PU
Beschreibung BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Hersteller Ampleon
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLF0910H9LS750PU Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF0910H9LS750PU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BLF0910H9LS750PU, BLF0910H9LS750PU Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.618,9 KB)
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BLF0910H9LS750PU Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz902MHz ~ 928MHz
Gewinn21.5dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)2.8µA
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung750W
Spannung - Nennspannung108V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

ATF-58143-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

19dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

BLF2425M9LS140J

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PD57006-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

70mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

230MHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

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