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BG5412KH6327XTSA1

BG5412KH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG5412KH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BG5412KH6327XTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BG5412KH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG5412KH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG5412KH6327XTSA1, BG5412KH6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 562,2 KB)
PDFBG5412KH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG5412KH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn24dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.1dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.5GHz ~ 2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

37A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

14.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

GTVA263202FC-V1-R2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

2.62GHz ~ 2.69GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

340W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.66GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

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