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BG3430RH6327XTSA1

BG3430RH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3430RH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BG3430RH6327XTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3430RH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3430RH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3430RH6327XTSA1, BG3430RH6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 542,7 KB)
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BG3430RH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.3dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

27dB

Spannungstest

45V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

53dBm

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.47GHz ~ 1.51GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

64A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.41A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1110A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFA092201E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.85A

Leistung - Leistung

220W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36260-2

BLM8D1822-25BZ

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

20-QFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

20-PQFN (8x8)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

65mA

Leistung - Leistung

158mW

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

Kürzlich verkauft

2N7002-7-F

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7M24000020

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IRGP4750D-EPBF

IRGP4750D-EPBF

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IGBT 650V 70A 273W TO247AD

LT8610ABHMSE#TRPBF

LT8610ABHMSE#TRPBF

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STM32F777BIT6

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IC MCU 32BIT 2MB FLASH 208LQFP

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

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