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BG3430RE6327HTSA1

BG3430RE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3430RE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BG3430RE6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3430RE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3430RE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3430RE6327HTSA1, BG3430RE6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 542,7 KB)
PDFBG3430RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3430RE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.3dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37265-2

PTFB212503EL-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.1dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.85A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-33288-6

Lieferantengerätepaket

H-33288-6

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

54W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

LET9070FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

70W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M250

Lieferantengerätepaket

M250

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.51GHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

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TAJD337K010RNJ

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CAP TANT 330UF 10% 10V 2917