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BG3123H6327XTSA1

BG3123H6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3123H6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BG3123H6327XTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3123H6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3123H6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3123H6327XTSA1, BG3123H6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 100,23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3123H6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA, 20mA
Rauschzahl1.8dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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-

Rauschzahl

-

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28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

15.5W

Spannung - Nennspannung

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

733MHz ~ 805MHz

Gewinn

18.6dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

275W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

HBSOF-6-2

Lieferantengerätepaket

PG-HBSOF-6-2

CG2H40010F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

8GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

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