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BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3123E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BG3123E6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3123E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3123E6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3123E6327HTSA1, BG3123E6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 100,23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3123E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA, 20mA
Rauschzahl1.8dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

280W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780-2G

Lieferantengerätepaket

OM-780-2 Gull

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

16.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

22W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

BLF989U

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

400MHz ~ 860MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

108V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

230MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1250W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-270BA

Lieferantengerätepaket

TO-270-2 GULL

Kürzlich verkauft

76SB08ST

76SB08ST

Grayhill Inc.

SWITCH ROCKER DIP SPST 150MA 30V

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

ON Semiconductor

-60V7.7MOHMSINGLE

FDS6910

FDS6910

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

WSH28185L000FEA

WSH28185L000FEA

Vishay Dale

RES 0.005 OHM 1% 5W 2818

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

MP24833GN-Z

MP24833GN-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC LED DRIVER

PIC18F6410-I/PT

PIC18F6410-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64TQFP

LTM8045IY#PBF

LTM8045IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER +/-2.5 +/-15V

A2557SLBTR-T

A2557SLBTR-T

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IC DRIVER QUAD 60V 300MA 16SOIC

SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

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LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

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DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB