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BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BG3123E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BG3123E6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Hersteller Infineon Technologies
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BG3123E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBG3123E6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BG3123E6327HTSA1, BG3123E6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 100,23 KB)
PDFBG3123RH6327XTSA1 Datenblatt Cover
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BG3123E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp2 N-Channel (Dual)
Frequenz800MHz
Gewinn25dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)25mA, 20mA
Rauschzahl1.8dB
Stromtest14mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

760MHz

Gewinn

19.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

MRF101BN

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 250MHz

Gewinn

21.1dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

115W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

SD2932W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

40A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

M244

Lieferantengerätepaket

M244

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

230MHz

Gewinn

24dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1250W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

280W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780-2G

Lieferantengerätepaket

OM-780-2 Gull

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CAP TANT 330UF 10% 10V 2917