BFN19H6327XTSA1
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| Teilenummer | BFN19H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFN19H6327XTSA1 |
| Beschreibung | TRANSISTOR AF SOT89-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFN19H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFN19H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BFN19H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT89 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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