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BF722,115

BF722,115

Nur als Referenz

Teilenummer BF722,115
PNEDA Teilenummer BF722-115
Beschreibung TRANS NPN 250V 0.1A SOT223
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BF722 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF722,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BF722, BF722 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 168,95 KB)
PDFBF722 Datenblatt Cover
BF722 Datenblatt Seite 2 BF722 Datenblatt Seite 3 BF722 Datenblatt Seite 4 BF722 Datenblatt Seite 5 BF722 Datenblatt Seite 6 BF722 Datenblatt Seite 7

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BF722 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)250V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 25mA, 20V
Leistung - max1.2W
Frequenz - Übergang60MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSC-73

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75

2SC2655-O,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

MPSA75RLRPG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

JANTX2N6350

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/472

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 5mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 5A, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AC, TO-33-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-33

2SA1381ESTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 10V

Leistung - max

7W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

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