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BF5030WH6327XTSA1

BF5030WH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BF5030WH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BF5030WH6327XTSA1
Beschreibung FET RF 8V 800MHZ SOT343
Hersteller Infineon Technologies
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BF5030WH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF5030WH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BF5030WH6327XTSA1, BF5030WH6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 579,68 KB)
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BF5030WH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz800MHz
Gewinn24dB
Spannungstest3V
Nennstrom (Ampere)25mA
Rauschzahl1.3dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung8V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

NI-1230S-4

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.5dB

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28V

Nennstrom (Ampere)

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-

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1.4A

Leistung - Leistung

63W

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65V

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 500MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

1500W

Spannung - Nennspannung

50V

Paket / Fall

SOT-979A

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4H

ARF1500

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

27.12MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

125V

Nennstrom (Ampere)

60A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

750W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

T-1

Lieferantengerätepaket

T-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

6.3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-780G-4L

Lieferantengerätepaket

OM-780G-4L

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