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BF1212R,215

BF1212R,215

Nur als Referenz

Teilenummer BF1212R,215
PNEDA Teilenummer BF1212R-215
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF1212R Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1212R,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BF1212R Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz400MHz
Gewinn30dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl0.9dB
Stromtest12mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung6V
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

960MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

RFM04U6P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

470MHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

2A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

4.3W

Spannung - Nennspannung

16V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

NE350184C

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

20GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.7dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

Micro-X ceramic (84C)

Lieferantengerätepaket

84C

IXZ210N50L2

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

Z-MOS™

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

70MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

10A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

390W

Spannung - Nennspannung

500V

Paket / Fall

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DE275

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