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BF1211WR,115

BF1211WR,115

Nur als Referenz

Teilenummer BF1211WR,115
PNEDA Teilenummer BF1211WR-115
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
Hersteller NXP
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BF1211WR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1211WR,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BF1211WR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz400MHz
Gewinn29dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl0.9dB
Stromtest15mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung6V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

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Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

17dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

26.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

19.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780GS-2L2LA

Lieferantengerätepaket

NI-780GS-2L2LA

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.9GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440196

Lieferantengerätepaket

440196

CG2H40025F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

440166

Lieferantengerätepaket

440166

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