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BF1211WR,115

BF1211WR,115

Nur als Referenz

Teilenummer BF1211WR,115
PNEDA Teilenummer BF1211WR-115
Beschreibung MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF1211WR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1211WR,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BF1211WR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz400MHz
Gewinn29dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl0.9dB
Stromtest15mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung6V
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

6GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

440166

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

26.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400

Lieferantengerätepaket

NI-400

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